正(zheng)亞(ya)鐵離(li)(li)子物(wu)流運(yun)(yun)輸(shu)體制(zhi)、鋰(li)(li)枝(zhi)晶的(de)(de)(de)植物(wu)的(de)(de)(de)生長體制(zhi)、固(gu)-固(gu)接(jie)口原因(yin)是nvme固(gu)定微型蓄(xu)電(dian)(dian)芯(xin)(xin)箱產生的(de)(de)(de)中國三(san)大原因(yin)：其實nvme固(gu)定微型蓄(xu)電(dian)(dian)芯(xin)(xin)箱能源密度單(dan)位與安全防護性占優，因(yin)此nvme固(gu)定微型蓄(xu)電(dian)(dian)芯(xin)(xin)箱內固(gu)-固(gu)接(jie)口能壘(lei)高造(zao)成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)鋰(li)(li)正(zheng)亞(ya)鐵離(li)(li)子數據傳輸(shu)傳輸(shu)運(yun)(yun)行速(su)度低(di)、鋰(li)(li)枝(zhi)晶的(de)(de)(de)植物(wu)的(de)(de)(de)生長、接(jie)口不(bu)起作用、和鋰(li)(li)彩石和膏狀電(dian)(dian)解設備質(SE)直接(jie)的(de)(de)(de)物(wu)理(li)上的(de)(de)(de)相處(chu)等即使產生原因(yin)，造(zao)成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)機器(qi)設備nvme固(gu)定微型蓄(xu)電(dian)(dian)芯(xin)(xin)箱充發出電(dian)(dian)運(yun)(yun)行速(su)度差，反復的(de)(de)(de)使用期(qi)限達不(bu)到傳統藝術(shu)等離(li)(li)子態微型蓄(xu)電(dian)(dian)芯(xin)(xin)箱。

鋰枝晶滋生緣由：固(gu)態(tai)硬盤電(dian)池板(ban)安全可靠性擊敗

鋰(li)枝晶在(zai)手(shou)機(ji)(ji)電芯內(nei)成(cheng)(cheng)長(chang)期(qi)易發生很(hen)安(an)全(quan)的(de)(de)風險分析(xi)隱患：nvme固體(ti)(ti)鈦電極(ji)質(zhi)似乎(hu)還(huan)具有高設備強(qiang)度，但己經根本無法完成(cheng)(cheng)促使鋰(li)枝晶的(de)(de)成(cheng)(cheng)長(chang)期(qi)和(he)體(ti)(ti)現鋰(li)廢塑料(liao)的(de)(de)均衡沉淀。鋰(li)廢塑料(liao)也許(xu)在(zai)負極(ji)單(dan)單(dan)從表面成(cheng)(cheng)型枝晶，有的(de)(de)在(zai)nvme固體(ti)(ti)鈦電極(ji)質(zhi)內(nei)成(cheng)(cheng)核，影(ying)響手(shou)機(ji)(ji)電芯燒(shao)壞(huai)，而(er)使發生很(hen)安(an)全(quan)的(de)(de)風險分析(xi)隱患。

據Monroe和Newman模形，在研究(jiu)背(bei)景高分子物(wu)(wu)鈦電極(ji)(ji)設(she)(she)備(bei)法質(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)鋰金(jin)屬材(cai)質(zhi)(zhi)(zhi)蓄電池制度中，當(dang)nvme固體硬(ying)盤鈦電極(ji)(ji)設(she)(she)備(bei)法質(zhi)(zhi)(zhi)的(de)(de)、剪截(jie)模量過于鋰金(jin)屬材(cai)質(zhi)(zhi)(zhi)、剪截(jie)模量的(de)(de)兩倍(bei)時，可能限制鋰枝(zhi)晶的(de)(de)發育(yu)。研究(jiu)背(bei)景此理論知識，高、剪截(jie)模量的(de)(de)硅化物(wu)(wu)nvme固體硬(ying)盤鈦電極(ji)(ji)設(she)(she)備(bei)法質(zhi)(zhi)(zhi)被人為能能夠徹(che)底解決鋰金(jin)屬材(cai)質(zhi)(zhi)(zhi)負極(ji)(ji)的(de)(de)枝(zhi)晶方面。而(er)是(shi)，相對 、剪截(jie)模量較高的(de)(de)硅化物(wu)(wu)nvme固體硬(ying)盤鈦電極(ji)(ji)設(she)(she)備(bei)法質(zhi)(zhi)(zhi)，其在比較有限的(de)(de)瞬時電流高密度下(xia)嵌(qian)套(tao)循環時卻也便捷建成鋰枝(zhi)。

增(zeng)加劑及框架(jia)架(jia)構設計可(ke)阻攔鋰(li)枝(zhi)(zhi)晶的(de)繁殖：來說高(gao)聚(ju)物(wu)物(wu)nvme固態硬盤安(an)裝電(dian)解設備(bei)拋光質來說，其(qi)挺(ting)括的(de)功能(neng)難阻攔枝(zhi)(zhi)晶的(de)達(da)成，僅(jin)是也能(neng)能(neng)確認加強(qiang)鐵離子(zi)導電(dian)性、增(zeng)加高(gao)分子(zi)生物(wu)填料、增(zeng)加上限的(de)高(gao)聚(ju)物(wu)物(wu)等形式(shi)(shi)來提升鋰(li)枝(zhi)(zhi)晶的(de)達(da)成；而匹(pi)配高(gao)分子(zi)nvme固態硬盤安(an)裝電(dian)解設備(bei)拋光質來說，能(neng)能(neng)確認變動(dong)微觀世界(jie)框架(jia)缺點、加強(qiang)相(xiang)比比熱(re)容(rong)、拉低(di)電(dian)子(zi)導電(dian)率、標(biao)準化管(guan)理電(dian)流大小(xiao)比熱(re)容(rong)等形式(shi)(shi)來阻攔鋰(li)枝(zhi)(zhi)晶的(de)達(da)成。

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